【让手机待机一周、性能两倍提升，IBM联合三星提出革命性新芯片架构】相较传统将晶体管以水平方式堆叠的设计，名为垂直传输场效应晶体管（VTFET）的芯片设计技术将晶体管以垂直方式堆叠，并且让电流也改以垂直方式流通，使晶体管数量密度再次提高之外，更大幅提高电源使用效率，并且突破目前在 1nm 制程设计面临瓶颈。

发布时间: 2021-12-16 15:24:31

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【让手机待机一周、性能两倍提升，IBM联合三星提出革命性新芯片架构】相较传统将晶体管以水平方式堆叠的设计，名为垂直传输场效应晶体管（VTFET）的芯片设计技术将晶体管以垂直方式堆叠，并且让电流也改以垂直方式流通，使晶体管数量密度再次提高之外，更大幅提高电源使用效率，并且突破目前在 1nm 制程设计面临瓶颈。
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